Infineon Technologies stellt eine neue 1200 V IGBT-Generation TRENCHSTOP ™ IGBT6 vor. Die neue IGBT-Technologie wird auf einer Wafergröße von 12 Zoll hergestellt und wurde entwickelt, um den steigenden Kundenanforderungen nach hohem Wirkungsgrad und hoher Leistungsdichte gerecht zu werden. Es wurde für den Einsatz in harten Schalt- und Resonanztopologien optimiert, die bei Schaltfrequenzen von 15 kHz bis 40 kHz arbeiten und für Anwendungen wie unterbrechungsfreie Stromversorgung (USV), Solarwechselrichter, Batterieladegeräte und Energiespeicher vorgesehen sind.
Der 1200V TRENCHSTOP IGBT6 ist in zwei Familien erhältlich. Die S6-Serie bietet den besten Kompromiss zwischen einer niedrigen Sättigungsspannung von V CE (sat) von 1,85 V und geringen Schaltverlusten. Die H6-Serie ist für geringe Schaltverluste optimiert. Anwendungstests bestätigen, dass der Ersatz des Vorgängers Highspeed3 IGBT durch die neue IGBT6 S6-Serie den Wirkungsgrad um 0,2 Prozent verbessert. Der positive Temperaturkoeffizient ermöglicht eine einfache und zuverlässige Geräteparallelisierung sowie eine gute Steuerbarkeit von R g ermöglicht die Anpassung der Schaltgeschwindigkeit des IGBT an die Anforderungen der Anwendung.
Derzeit sind die IGBT6-Familien in Serienproduktion. Das Produktportfolio umfasst 15A und 40A, die zusammen mit einer Freilaufdiode mit halber oder voller Nennleistung in einem TO-247-3-Gehäuse verpackt sind. Eine Stromdichte für einen diskreten IGBT liefert die 75-A-Variante, die zusammen mit einer 75-A-Freilaufdiode im 3-Pin- oder 4-Pin-Gehäuse TO-247PLUS gepackt ist.