Die Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation hat GT20N135SRA eingeführt, einen diskreten IGBT mit 1350 V für Tisch- IH-Kocher, IH-Reiskocher, Mikrowellenöfen und andere Haushaltsgeräte, die Spannungsresonanzkreise verwenden. Der IGBT verfügt über eine Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung von 1,75 V und eine Dioden-Durchlassspannung von 1,8 V, was ungefähr 10% bzw. 21% niedriger ist als für das aktuelle Produkt.
Sowohl der IGBT als auch die Diode weisen bei hohen Temperaturen (T C = 100 ° C) verbesserte Leitfähigkeitsverlusteigenschaften auf, und der neue IGBT kann dazu beitragen, den Stromverbrauch der Geräte zu senken. Es verfügt außerdem über einen Wärmewiderstand zwischen Verbindungsstelle und Gehäuse von 0,48 ℃ / W, der etwa 26% unter dem der aktuellen Produkte liegt und eine einfachere thermische Auslegung ermöglicht.
Merkmale des GT20N135SRA IGBT
- Geringer Leitungsverlust:
VCE (sat) = 1,6 V (typ.) (@ IC = 20 A, VGE = 15 V, Ta = 25
° C) VF = 1,75 V (typ.) (@ IF = 20 A, VGE = 0 V, Ta = 25 ℃)
- Niedriger Wärmewiderstand zwischen Verbindung und Gehäuse: Rth (jC) = 0,48 ℃ / W (max)
- Unterdrückt den Kurzschlussstrom, der beim Einschalten des Geräts durch den Resonanzkondensator fließt.
- Der breite sichere Betriebsbereich
Der neue IGBT kann den Kurzschlussstrom unterdrücken, der beim Einschalten des Geräts durch den Resonanzkondensator fließt. Sein Schaltungsstromspitzenwert beträgt 129 A, was einer Reduzierung von etwa 31% gegenüber dem aktuellen Produkt entspricht. Der GT20N135SRA erleichtert das Design der Geräte im Vergleich zu anderen ähnlichen Produkten, die heute erhältlich sind, da der sichere Betriebsbereich erweitert wird. Weitere Informationen zu GT20N135SRA finden Sie auf der offiziellen Website der Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation.