Vishay Intertechnology hat einen neuen Siliconix SiR626DP N-Kanal 60V TrenchFET Gen IV MOSFET mit 6,15 mm x 5,15 mm PowerPAK SO-8 Einzelpaket auf den Markt gebracht. Der Vishay Siliconix SiR626DP bietet einen um 36% geringeren Einschaltwiderstand als seine Vorgängerversion. Es kombiniert einen maximalen Einschaltwiderstand von bis zu 1,7 mW mit einer extrem niedrigen Gate-Ladung von 52 nC bei 10 V. Es enthält auch eine Ausgangsgebühr von 68 nC und ein C OSS von 992 pF, was 69% unter den vorherigen Versionen liegt.
Der SiR626DP verfügt über einen sehr niedrigen RDS- Wert (Drain-Source on Resistance), der die Effizienz in Anwendungen wie Synchrongleichrichtung, Primär- und Zweitseitenschalter, DC / DC-Wandlern, Solar-Mikrokonverter und Motorantriebsschalter erhöht. Das Paket ist Blei (Pb) und halogenfrei mit 100% R G.
Die Hauptmerkmale umfassen:
- V DS: 60 V.
- V GS: 20 V.
- R DS (EIN) bei 10 V: 0,0017 Ohm
- R DS (EIN) bei 7,5 V: 0,002 Ohm
- R DS (EIN) bei 6 V: 0,0026 Ohm
- Q g bei 10 V: 68 nC
- Q gs: 21 nC
- Q gd: 8,2 nC
- I D max.: 100 A.
- P D max.: 104 W.
- V GS (th): 2 V.
- R g Typ.: 0,91 Ohm
Es sind Muster des SiR626DP erhältlich und Produktionsmengen mit Vorlaufzeiten von 30 Wochen je nach Marktsituation.