Die CoolGaN -Transistoren mit hoher Elektronenmobilität (HEMTs) von Infineon ermöglichen das Hochgeschwindigkeitsschalten in Halbleiterstromversorgungen. Diese hocheffizienten Transistoren eignen sich sowohl für Hard- als auch für Soft-Switching-Topologien und eignen sich daher ideal für Anwendungen wie drahtloses Laden, SMPS (Switched Mode Power Supply), Telekommunikation, Hyperscale-Rechenzentren und Server. Diese Transistoren sind ab sofort bei Mouser Electronics erhältlich.
Die HEMTs bieten im Vergleich zu Siliziumtransistoren eine 10-mal niedrigere Ausgangsladung und Gate-Ladung sowie ein 10-mal höheres Durchbruchfeld und eine doppelte Mobilität. Die Geräte sind für das Ein- und Ausschalten optimiert und verfügen über neue Topologien und aktuelle Modulationen, um innovative Schaltlösungen bereitzustellen. Die oberflächenmontierte Verpackung der HEMTs stellt sicher, dass die Schaltfunktionen vollständig zugänglich sind, während das kompakte Design der Geräte den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen mit begrenztem Platz ermöglicht.
Die CoolGaN Gallium Nitride HEMTs von Infineon werden von den Evaluierungsplattformen EVAL_1EDF_G1_HB_GAN und EVAL_2500W_PFC_G unterstützt. Die EVAL_1EDF_G1_HB_GAN-Karte verfügt über ein CoolGaN 600 V HEMT und einen Infineon GaN EiceDRIVE-Gate-Treiber-IC, mit denen Ingenieure Hochfrequenz-GaN-Fähigkeiten in der universellen Halbbrückentopologie für Wandler- und Wechselrichteranwendungen bewerten können. Die EVAL_2500W_PFC_G-Karte enthält CoolGaN 600V-E-Mode-HEMTs, einen CoolMOS ™ C7 Gold-Superjunktions-MOSFET und EiceDRIVER-Gate-Treiber-ICs, um ein 2,5-kW-Bewertungswerkzeug für die Vollbrücken-Leistungsfaktorkorrektur (PFC) bereitzustellen, das die Systemeffizienz bei Energieeffizienz um über 99 Prozent erhöht kritische Anwendungen wie SMPS und Telekommunikationsgleichrichter.
Weitere Informationen erhalten Sie unter www.mouser.com/infineon-coolgan-hemts.