Diodes Incorporated hat heute den Half Bridge- und High-Side- / Low-Side-Topologie-Gate-Treiber in einem SO-8-Paket eingeführt. Diese Gate-Treiber konzentrieren sich auf Hochspannungs- und Hochgeschwindigkeitsanwendungen für Wandler, Wechselrichter, Motorsteuerung und Klasse-D-Leistungsverstärkeranwendungen. Diese Geräte bieten eine Junction-isolierte Level-Shift-Technologie, um einen Floating-Channel-High-Side-Treiber für die Verwendung in einer Bootstrap-Topologie mit bis zu 200 V zu erstellen. Es kann auch Zweikanal-MOSFETs in Halbbrückenkonfiguration ansteuern. Darüber hinaus verfügen alle Geräte über Standard-TTL / CMOS-Logikeingänge mit Schmitt-Triggerung und arbeiten bis zu 3,3 V.
Die drei Modelle DGD2003S8, DGD2005S8 und DGD2012S8 sind für Motorantriebsanwendungen bis 100 V geeignet. Das Gerät eignet sich gut für die gleichzeitige Unterstützung von Stromumwandlungs- und Inversionsanwendungen mit 200 V. Die Ausgänge dieser Geräte können negativen Transienten standhalten und umfassen eine Unterspannungssperre für High-Side- und Low-Side-Treiber. Diese Funktion macht es für Anwendungen in einer Reihe von Verbraucher- und Industriedesigns geeignet, einschließlich Elektrowerkzeugen, Robotik, kleinen Fahrzeugen und Drohnen.
Mit einer über den gesamten Bereich aufrechterhaltenen Energieeffizienz umfasst das Merkmal einen Quellen- und Senkenstrom von 290 mA bzw. 600 mA für die DGD2003S8 und DGD2005S8 sowie 1,9 A und 2,3 A für die DGD2012S8. Der DGD2005S8 hat eine maximale Laufzeit von 30 ns beim Umschalten zwischen High-Side und Low-Side, während der DGD2003S8 eine feste interne Totzeit von 420 ns aufweist. Der Temperaturbereich reicht von -40 0 C bis +125 0 C.
Die DGD2003S8, DGD2005S8 und DGD2012S8 sind in den SO-8-Paketen verfügbar.