Infineon Technologies hat die 600-V-Produktfamilie CoolMOS S7 für Leistungsdichte und Energieeffizienz in Anwendungen eingeführt, bei denen MOSFETs mit einer niedrigen Frequenz geschaltet werden. Die Produktfamilie wurde entwickelt, um Leitungsverluste zu minimieren und die schnellste Reaktionszeit zusammen mit einer erhöhten Effizienz für Niederfrequenzschaltanwendungen sicherzustellen. Der von CoolMOS S7-Geräten gelieferte R DS (ein) x A ist im Vergleich zum CoolMOS 7 sehr viel geringer. Dies tauscht Schaltverluste erfolgreich gegen geringeren Einschaltwiderstand und geringere Kosten aus.
Merkmale der 600V CoolMOS S7-Produktfamilie
- Best-in-Class-R DS (ein) in SMD-Paketen
- Bester Super Junction MOSFET RDS (ein)
- Optimiert für die Leitungsleistung
- Verbesserte Wärmebeständigkeit
- Hohe Impulsstromfähigkeit
- Robustheit der Körperdiode bei der Kommutierung der Wechselstromleitung
Die Geräte sind so konzipiert, dass sie den 10-mΩ-Chip in ein innovatives oberseitig gekühltes QDPAK und den 22-mΩ-Chip in ein hochmodernes kleines TO-Leadless (TOLL) SMD-Gehäuse einbauen. Diese MOSFETs ermöglichen kostengünstige, einfache, kompakte und modulare hocheffiziente Konstruktionen. Daher können sie in Anwendungen mit aktiver Brückengleichrichtung, Wechselrichterstufen, SPS, Leistungs-Halbleiterrelais und Halbleiterschaltern eingesetzt werden.
Systeme können problemlos Vorschriften und Zertifizierungsstandards für Energieeffizienz (z. B. Titan für SMPS) erfüllen sowie Strombudgets erfüllen und die Anzahl der Teile, Kühlkörper und Gesamtbetriebskosten (TCO) reduzieren.