Die Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation hat ihre U-MOS XH-Serie um die neuen 80-V-N-Kanal-Leistungs-MOSFETs erweitert, die nach dem Verfahren der neuesten Generation entwickelt wurden. Das erweiterte Sortiment umfasst " TPH2R408QM " in SOP Advance, einer oberflächenmontierten Verpackung, und " TPN19008QM " in einem TSON Advance-Paket.
Die neuen 80-V-U-MOS-XH-Produkte weisen im Vergleich zur aktuellen Generation einen um 40% geringeren Einschaltwiderstand der Drain-Source auf. Sie haben aufgrund der optimierten Vorrichtungsstruktur auch einen verbesserten Kompromiss zwischen dem Drain-Source-Einschaltwiderstand und den Gate-Ladungseigenschaften.
Merkmale von TPH2R408QM und TPN19008QM
|
Parameter |
TPH2R408QM |
TPN19008QM |
|
Drain Source Voltage (Vds) |
80V |
80V |
|
Stromverbrauch |
120A |
120A |
|
Einschaltwiderstand @ Vgs = 6V |
3,5 mΩ |
28 mΩ |
|
Torschalter Ladung |
28nC |
5,5 nC |
|
Eingangskapazität |
5870pF |
1020pF |
|
Paket |
SOP |
TSON |
Mit der geringsten Verlustleistung eignen sich diese neuen MOSFETs zum Schalten von Stromversorgungen in Industrieanlagen wie Hochleistungs-AC / DC-Wandlern, DC-DC-Wandlern usw., die in Zentren und Kommunikationsbasisstationen sowie in Motorsteuergeräten verwendet werden. Weitere Informationen zu TPH2R408QM und TPN19008QM finden Sie auf der Produktseite.