Vishay Intertechnology stellte seinen neuen N-Kanal-MOSFET der vierten Generation mit dem Namen SiHH068N650E vor. Dieser Mosfet der 600-V-E-Serie verfügt über einen sehr geringen Einschaltwiderstand der Drain-Quelle und ist damit das branchenweit niedrigste Gerät mit Einschaltwiderstand für Gate-Ladezeiten. Dies bietet dem MOSFET einen hohen Wirkungsgrad, der für Telekommunikations-, Industrie- und Unternehmensstromversorgungsanwendungen geeignet ist.
Der SiHH068N60E bietet einen niedrigen typischen Einschaltwiderstand von 0,059 Ω bei 10 V und eine extrem niedrige Gate-Ladung bis zu 53 nC. Das FOM des Geräts von 3,1 Ω * nC wird für eine verbesserte Schaltleistung verwendet. Das SiHH068N60E bietet niedrige effektive Ausgangskapazitäten C o (er) und C o (tr) von 94 pf bzw. 591 pF. Diese Werte führen zu reduzierten Leitungs- und Schaltverlusten, um Energie zu sparen.
Hauptmerkmale von SiHH068N60E:
- N-Kanal-MOSFET
- Drain Source Spannung (V DS): 600V
- Gate Source Spannung (V GS): 30V
- Gate-Schwellenspannung (V gth): 3V
- Maximaler Ablassstrom: 34A
- Drain Source Resistance (R DS): 0,068 Ω
- Qg bei 10 V: 53 nC
Der MOSFET wird in einem PowerPAK 8 × 8-Gehäuse geliefert, das RoHS-konform, halogenfrei und für Überspannungstransienten im Lawinenmodus ausgelegt ist. Muster und Produktionsmengen des SiHH068N60E sind ab sofort mit Vorlaufzeiten von 10 Wochen verfügbar. Sie können ihre Website für weitere Informationen besuchen.