Infineon Technologies hat seine Siliziumkarbid (SiC) -MOSFET- Familie um das neue 1200-V-CoolSiC-MOSFET-Leistungsmodul erweitert. Dieser MOSFET nutzt die Eigenschaften von SiC, um bei hoher Schaltfrequenz mit hoher Leistungsdichte und Effizienz zu arbeiten. Infineon behauptet, dass dieser MOSFET aufgrund seiner geringeren Schaltverluste einen Wirkungsgrad von 99% in Wechselrichterkonstruktionen überschreiten könnte. Diese Eigenschaft reduziert die Betriebskosten bei schnell schaltenden Anwendungen wie USV und anderen Energiespeicherkonstruktionen erheblich.
Das MOSFET-Leistungsmodul wird in einem Easy 2B-Gehäuse mit niedriger Streuinduktivität geliefert. Das neue Gerät erweitert den Leistungsbereich von Modulen in Halbbrückentopologie mit einem Einschaltwiderstand (R DS (ON)) pro Switch auf nur 6 mΩ und ist somit ideal für den Aufbau von Vier- und Sechs-Pack-Topologien. Darüber hinaus weist der MOSFET auch die niedrigsten Gate-Ladungs- und Bauelementkapazitätspegel auf, die bei 1200-V-Schaltern zu sehen sind, keine Rückgewinnungsverluste der antiparallelen Diode, temperaturunabhängige niedrige Schaltverluste und schwellenfreie Einschaltzustände. Die integrierte Körperdiode am MOSFET bietet eine verlustarme Freilauffunktion ohne externe Diode, und der integrierte NTC-Temperatursensor überwacht das Gerät auch auf Fehlerschutz.
Die gezielten Anwendungen für diese MOSFETs sind Photovoltaik-Wechselrichter, Batterieladung und Energiespeicherung. Aufgrund ihrer besten Leistung, Zuverlässigkeit und Benutzerfreundlichkeit können Systementwickler noch nie dagewesene Effizienz- und Systemflexibilitätsniveaus nutzen. Der Infineon Easy 2B CoolSiC MOSFET ist ab sofort erhältlich. Weitere Informationen finden Sie auf der Website.