Die Infineon Technologies AG hat den branchenführenden TRENCHSTOP IGBT7 in einem diskreten TO-247- Gehäuse mit einer Durchbruchspannung von 650 V eingeführt. Das Portfolio der TRENCHSTOP-Familie ist mit den aktuellen Nennwerten 20A, 30A, 40A, 50A und 75A erhältlich und eignet sich daher für Anwendungen wie Industriemotorantriebe, Leistungsfaktorkorrektur, Photovoltaik und unterbrechungsfreie Stromversorgungen.
Der TRENCHSTOP IGBT7-Chip basiert auf der neuen Mikromuster-Grabentechnologie und bietet bei gleicher Stromklasse wesentlich geringere statische Verluste und 10% weniger Spannung im eingeschalteten Zustand. Das neue Gerät hat eine sehr niedrige Sättigungsspannung (V CE (sat)) und wird gemeinsam gepackt mit einem Emitter gesteuert 7 th Generation (EC7) Diode, die für eine 150 mV niedrige Durchlassspannung (VF) Abfall und eine verbesserte Reverse- liefert Erholungsweichheit.
Mit der Robustheit des Kurzschlusses bietet der TRENCHSTOP IGBT7 eine hervorragende Steuerbarkeit und eine hervorragende EMI-Leistung. Er kann einfach angepasst werden, um die erforderlichen dv / dt- und Schaltverluste bereitzustellen. Es wurde nachgewiesen, dass das Gerät die Robustheit bietet, die für industrielle Anwendungen mit hoher Luftfeuchtigkeit erforderlich ist, indem es den JEDEC-basierten HV-H3TRB (Hochspannungs-Hochtemperatur-Umkehrvorspannung) mit hoher Spannung durchläuft.