Melexis hat die Veröffentlichung von zwei neuen isolierten integrierten Stromsensoren, MLX91220 (5 V) und MLX91221 (3,3 V), angekündigt, um die Leistung zu steigern und die Designkomplexität in verschiedenen Automobil- und Industrieanwendungen zu verringern. Mit einer Bandbreite von 300 kHz können diese auf Hall-Effekt basierenden Stromsensoren in verschiedenen Leistungsumwandlungsanwendungen mit weniger als 50 A RMS verwendet werden.
Die Stromsensoren der neuen Generation bauen auf der ersten Generation von Stromsensoren mit integrierten Sensorelementen und hochpräziser Signalkonditionierung mit Spannungsisolation auf. Diese Sensoren sind in miniature SOIC8 Narrow - Body - Paket und SOIC16 Großraum- Pakete und eine erhöhte Bandbreite von 300 kHz ergibt eine Reaktionszeit von 2 & mgr; s, wodurch die Stütz höhere Schaltfrequenzen und genauere Verfolgung in Regelkreisen.
Der MLX91220 verbessert die OCD- Funktion (Dual On-Chip Overcurrent Detection) und ermöglicht wichtige Überwachungsmechanismen unter Verwendung der internen und externen Funktionen. Der interne OCD-Schwellenwert kann mit einer Reaktionszeit von 2 µs innerhalb oder außerhalb des Bereichs ausgewählt werden. Die externe OCD-Schwelle kann über eine externe Referenzspannung innerhalb oder nahe des Ausgangsbetriebsbereichs mit einer typischen Reaktionszeit von 10 µs eingestellt werden. Beide können bei Verwendung in einer Anwendung Redundanz bieten oder separate Kurzschluss- und Außerbetriebsbedingungen erkennen.
Der MLX91220 und der MLX91221 bieten Flexibilität beim Ausgabemodus, die beim werkseitigen Trimmen von Melexis definiert wurde. Die neuen integrierten Stromsensoren verwenden ein internes Differentialerfassungskonzept, um das vom integrierten Primärleiter erzeugte Magnetfeld zu erfassen. Dies bietet ein hohes Maß an Streufeldimmunität und ermöglicht eine Leistungselektronik mit höherer Dichte, da der Sensor weniger von Streumagnetfeldern in unmittelbarer Nähe beeinflusst wird.
Gemäß IEC / UL-62368 ist das SOIC8-Gehäuse mit einer Isolation von 2,4 kVeff und das SOIC16-Gehäuse mit breitem Gehäuse mit einer Isolation von 4,8 kV bewertet. Aufgrund der höheren Pinanzahl und der erhöhten Leiterdicke bietet das SOIC16-Gehäuse einen geringeren Primärleiterwiderstand. Beide Varianten haben einen niedrigeren spezifischen Widerstand, während der SOIC16 0,75 mOhm misst, der SOIC8 0,85 mOhm, was erheblich niedriger ist als die verfügbaren Shunt-basierten Lösungen. Muster und Entwicklungskits sind auf der Website des Unternehmens und bei Vertretern vor Ort erhältlich.