Diodes Incorporated hat AP72200 herausgebracht, einen synchronen Hochstrom-Buck / Boost-DC / DC-Wandler mit integrierten High- Side- und Low-Side-H-Brücken-MOSFETs, der einen Wirkungsgrad von bis zu 97% bei einer Genauigkeit der Spannungsregelung von 1%, einem niedrigen Ruhestrom und sehr geringe Ausgangswelligkeit.
Durch die Verwendung der proprietären Buck / Boost-Strommodus-Steuerungstechnologie von Diodes Incorporated bietet der AP72200 eine hervorragende Spannungsregelung und einen kontinuierlichen Ausgangsstrom von bis zu 2A. Das Design ermöglicht einen nahtlosen Übergang zwischen Buck- und Boost-Betrieb, während der breite Eingangsspannungsbereich von 2,3 V bis 5,5 V eine flexible Versorgung bietet und eine Ausgangsspannung zwischen 2,6 V und 5,14 V erzeugt.
Aufgrund des hohen Integrationsgrades des AP72200-Geräts mit niedrigem Ruhestrom und großem Eingangsspannungsbereich eignet es sich gut für eine Vielzahl tragbarer Anwendungen, einschließlich Smartphones, Tablets und anderer batteriebetriebener Verbrauchergeräte.
Viele der Funktionen des AP72200 können vom Benutzer über eine branchenübliche I2C-Schnittstelle konfiguriert werden, die im Standardmodus, im Schnellmodus, im Schnellmodus plus und im Hochgeschwindigkeitsmodus betrieben werden kann. Dies umfasst Anstiegs- und Abfallanstiegsraten der programmierbaren Ausgangsspannung, ausgangsaktive Entladung, Überspannungsschutzschwelle und Überstromschwelle. Der AP72200 kann auch für den Betrieb im PWM- oder PFM-Modus sowie im Ultraschallmodus konfiguriert werden, wodurch die Schaltfrequenz verringert wird, um die Erzeugung von Frequenzen unter der Harmonischen im Bereich von 20 kHz zu vermeiden, die Störungen im hörbaren Frequenzbereich verursachen können. Darüber hinaus kann der Buck / Boost-Ausgang auch über die I2C-Schnittstelle deaktiviert werden, sodass ein Master-Gerät den Betrieb des Reglers über einen Standard-I2C-Bus steuern kann. Die Ausgangsspannung kann in 0 zwischen 2,60 V und 5,14 V eingestellt werden.02V-Schritte durch Programmieren des Geräts über I2C.
Die integrierten H-Brücken-MOSFETs verfügen über einen extrem niedrigen RDS (ON) von 25 mΩ und einen Abschaltstrom von weniger als 1 µA. Der Ruhestrom beträgt im nicht schaltenden Modus nur 20 µA und im PFM-Modus 29 µA. Darüber hinaus beträgt die Schaltfrequenz im kontinuierlichen Schaltmodus typischerweise 2,5 MHz und fällt im Ultraschallmodus auf 27 kHz ab.