Die Erfindung des Transistors revolutionierte die Elektronikindustrie. Diese bescheidenen Geräte werden in fast allen elektronischen Geräten häufig als Schaltkomponenten verwendet. Ein Transistor und eine Hochleistungsspeichertechnologie wie RAM werden in einem Computerchip zum Verarbeiten und Speichern der Informationen verwendet. Bis heute können sie jedoch nicht miteinander kombiniert oder näher beieinander platziert werden, da die Speichereinheiten aus ferroelektrischem Material und die Transistoren aus Silizium, einem Halbleitermaterial, bestehen.
Die Ingenieure der Purdue University haben eine Methode entwickelt, mit der Transistoren Informationen speichern können. Sie haben dies erreicht, indem sie das Problem der Kombination des Transistors mit dem ferroelektrischen RAM gelöst haben. Diese Kombination war früher aufgrund von Problemen, die während der Grenzfläche zwischen Silizium und ferroelektrischem Material auftraten, nicht möglich. Daher arbeitet der RAM immer als separate Einheit, was das Potenzial begrenzt, das Rechnen wesentlich effizienter zu gestalten.
Ein Team unter der Leitung von Peide Ye, Richard J. und Mary Jo Schwartz, Professor für Elektrotechnik und Informationstechnik an der Purdue University, hat das Problem gelöst, indem ein Halbleiter mit ferroelektrischen Eigenschaften verwendet wurde, sodass beide Geräte ferroelektrischer Natur sind und problemlos zusammen verwendet werden können. Das neue Halbleiterbauelement wurde als ferroelektrischer Halbleiter-Feldeffekttransistor bezeichnet.
Der neue Transistor wurde aus dem Material „Alpha Indium Selenide“ hergestellt, das nicht nur eine ferroelektrische Eigenschaft aufweist, sondern auch eines der großen Probleme ferroelektrischer Materialien angeht, die aufgrund der großen Bandlücke als Isolator wirken. Im Gegensatz dazu weist Alpha-Indium-Selenid im Vergleich zu anderen ferroelektrischen Materialien eine geringere Bandlücke auf, wodurch es als Halbleiter fungieren kann, ohne seine ferroelektrischen Eigenschaften zu verlieren. Diese Transistoren hatten eine vergleichbare Leistung wie die vorhandenen ferroelektrischen Feldeffekttransistoren gezeigt.