Infineon Technologies hat seine neuen 1200 V TRENCHSTOP IGBT7- und Emitter-Controller- EC7-Dioden auf Basis der neuen Mikromuster-Grabentechnologie mit EasyPIM-Gehäuse nach Industriestandard für die aktuellen Klassen 10A und 25A veröffentlicht.. Der neu veröffentlichte TRENCHSTOP IGBT7-Chip weist im Vergleich zum IGBT4 wesentlich geringere statische Verluste auf. Die heute veröffentlichten Geräte bieten eine höhere Leistungsdichte, niedrigere Systemkosten und sind an die Anforderungen industrieller Antriebsanwendungen angepasst. Auch die Einschaltspannung wird um 20% reduziert und bietet eine Betriebstemperatur von bis zu +175 0 C.
Die neuen TRENCHSTOP-Module sind mit der zuverlässigen PressFit-Montagetechnologie von Infineon für niedrigen ohmschen Widerstand und reduzierte Prozesszeit ausgestattet. Die IGBT7-Module sind mit der gleichen Pinbelegung wie das vorherige IGBT4-Modul ausgestattet, was den Herstellern hilft, den Designaufwand zu reduzieren. Auch die Geräte zeichnen sich durch leiseres Schalten und verbesserte Steuerbarkeit aus. Noch wichtiger ist, dass die neuen Module einen höheren Ausgangsstrom im selben Gehäuse oder einen ähnlichen Ausgangsstrom im kleineren Gehäuse ermöglichen.
Die Beispiele der TRENCHSTOP-Module sind in den Lead-Typen FP10R12W1T7_B11, FP25R12W1T7_B11 und FS100R12W2T7_B11 erhältlich.