UnitedSiC hat im Rahmen seiner UJ4C SiC FET-Serie vier neue Geräte auf Basis der fortschrittlichen Gen 4-Technologie auf den Markt gebracht. Diese 750-V-SiC-FETs ermöglichen neue Leistungsniveaus, verbessern die Kosteneffizienz, die Wärmeeffizienz und den Design-Headroom. Die neuen FETs eignen sich für den Einsatz in wachstumsstarken Stromversorgungsanwendungen in den Bereichen Automobil, industrielles Laden, Telekommunikationsgleichrichter, PFC- und DC-DC-Wandlung von Rechenzentren sowie erneuerbare Energien und Energiespeicher.
Diese SiC-FETs der vierten Generation liefern hohe FoMs mit reduziertem Einschaltwiderstand pro Flächeneinheit und geringer Eigenkapazität. Die Gen 4-FETs weisen den niedrigsten RDS (Ein) x EOSS (Mohm-UJ) auf, wodurch der Ein- und Ausschaltverlust bei hart schaltenden Anwendungen verringert wird. Andererseits bietet in Soft-Switching-Anwendungen die niedrige RDS (on) x Coss (tr) (mohm-nF) -Spezifikation dieser FETs einen geringeren Leitungsverlust und eine höhere Frequenz.
Die neuen Bauelemente übertreffen die vorhandene wettbewerbsfähige SiC-MOSFET-Leistung, unabhängig davon, ob sie kühl (25 ° C) oder heiß (125 ° C) laufen, und bieten die niedrigste integrierte Diode V F mit ausgezeichneter Rückwärtswiederherstellung, die geringe Totzeitverluste und einen höheren Wirkungsgrad bietet. Diese FETs bieten mehr Headroom für Designer und weniger Designbeschränkungen. Aufgrund ihrer höheren VDS-Bewertung sind sie für den Einsatz in Busspannungsanwendungen mit 400/500 V geeignet. Die FETs der vierten Generation bieten kompatible Gate-Ansteuerungen mit +/- 20 V, 5 V Vth und können mit 0 bis + 12 V Gate-Spannungen betrieben werden. Dies bedeutet, dass diese FETs mit vorhandenen SiC-MOSFET-, Si-IGBTs- und Si-MOSFET-Gate-Treibern arbeiten können.
Alle Geräte sind bei autorisierten Händlern erhältlich und die Preise (ab 1000 FOB USA) für die neuen 750 V Gen 4 SiC-FETs liegen zwischen 3,57 USD für den UJ4C075060K3S und 7,20 USD für den UJ4C075018K4S.