Infineon Technologies hat das neue IGBT 7-Modul (FF900R12ME7_B11) für industrielle Antriebsanwendungen und andere Anwendungen wie Nutz-, Bau- und Landwirtschaftsfahrzeuge, Servoantriebe sowie Solar- und USV-Wechselrichter eingeführt. Das 1200-V-IGBT-Modul liefert einen führenden Nennstrom von 900 A, was eine 30% höhere Wechselrichterleistung im Vergleich zur früheren Technologie mit derselben Rahmengröße liefert.
Merkmale des FF900R12ME7_B11 IGBT
- Die Spannung im eingeschalteten Zustand wird um bis zu 30 Prozent der gleichen Chipfläche reduziert
- Leistung mit viel geringeren statischen Verlusten im Vergleich zum IGBT4
- Deutliche Verlustreduzierung
- Verbessertes Schwingungsverhalten und Steuerbarkeit
- Die maximal zulässige Überlastübergangstemperatur beträgt 175 ° C.
- Optimierte Freilaufdiode
- Optimierte Kriechstrecke für 1500 V PV-Anwendungen
- Integrierter NTC-Temperatursensor
- Kompaktes und robustes Design mit geformten Anschlüssen
Der Spannungsabfall in Durchlaßrichtung des Emitters gesteuert 7 th Generation Diode (EC7) ist jetzt 100 mV niedriger als der Vorwärtsspannungsabfall der Diode EC4 mit einer verringerten Schwingungsneigung während der Diode Abschaltzeit. Der EcocnoDUAL 3 vereinfacht das Wechselrichterkonzept und senkt die Gesamtkosten, da er eine höhere Leistungsdichte aufweist, wodurch eine Parallelisierung der Module vermieden wird. Das Modul verfügt über ein verbessertes Gehäuse für höhere Ströme und Temperaturen, die bei gleichem Platzbedarf wie das vorhandene Wechselrichtersystem verwendet werden können.
Es ist mit vorab aufgebrachtem thermischem Grenzflächenmaterial (TIM) für den niedrigsten Wärmewiderstand und die längste Lebensdauer erhältlich. Das PressFIT-Gehäuse ermöglicht eine schnelle und kostengünstige Montage. Der Lead-Typ FF900R12ME7_B11 kann jetzt bestellt werden. Weitere Informationen finden Sie auf der Produktseite von IGBT 7 auf der offiziellen Website von Infineon Technologies.